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SIE808DF-T1-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：10-PolarPAK?（L）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：12,000 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：13.313
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SIE808DF-T1-E3

SIE808DF-T1-E3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    60A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    1.6 歐姆 @ 25A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    155nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    8800pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    125W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    10-PolarPAK?（L）

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

  • 產(chǎn)品描述備注