" />" />

人人做人人爱在碰免费,午夜DV内射一区二区,国产亚洲精久久久久久无码,国产网红主播无码精品

您好，歡迎您來到恒達億科技有限公司官方網(wǎng)站
服務(wù)熱線：0755-82723761 / 0755-82772189 |幫助中心|設(shè)為首頁| 加入收藏
您當前位置：首 頁 >> 產(chǎn)品索引 >> SI7772DP-T1-GE3
跳過導(dǎo)航鏈接。

SI7772DP-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：PowerPAK? SO-8
  • 批號：--
  • 數(shù)量：30,000 - 立即發(fā)貨
  • 價格：2.081
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    SkyFET?， TrenchFET?

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    35.6A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    13 毫歐 @ 15A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    28nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    1084pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    29.8W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    PowerPAK? SO-8

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 30V 35.6A 8-SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注