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SI3443DV

  • 廠家：International Rectifier
  • 封裝：Micro6?（TSOP-6）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SI3443DV

SI3443DV

  • 包裝

    管件

  • 系列

    HEXFET?

  • FET 類型

    MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    4.4A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    65 毫歐 @ 4.4A，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    15nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    1079pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    2W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

  • 產(chǎn)品描述備注